• О компании
  • Что с моим заказом?
  • Помощь
  • Еще
    • Как сделать заказ
    • Возврат и обмен товаров
    • Часто задаваемые вопросы
    • Бонусы за заказ онлайн
Загрузка корзины
close

Для Почты РФ номер заказа необходимо вводить в формате N-XXX-XXX

 

 

capcha

Узнать статус заказа
Внимание!   В связи с плановым отключением электроэнергии 30 и 31 марта отгрузка заказов с нашего склада будет отложена. В случае необходимости, просим оформить покупки до 29 марта. Заказы, оформленные с 30 Марта по 2 Апреля будут отгружены не ранее 4 Апреля. Все это время сайт будет функционировать в обычном режиме.
dko

8 (800) 500-58-87
6
причин купить через сайт
  • Заказ
  • Оплата
  • Доставка
  • Гарантия и возврат
  • Контакты

Драйверы IGBT и MOSFET

Цена (руб.):

от
до
Параметры:
  • Корпус
  • Кол-во нижних каналов
  • Кол-во верхних каналов
  • Максимальное напряжение смещения
  • Максимальный выходной ток нарастания
  • Максимальный выходной ток спада
  • Минимальная рабочая температура
  • Максимальная рабочая температура

Развернуть все

Показать все

Показать результаты
Очистить выбранное
Электронные компоненты
Цена
от
до
Параметры:
  • Корпус
  • Кол-во нижних каналов
  • Кол-во верхних каналов
  • Максимальное напряжение смещения
  • Максимальный выходной ток нарастания
  • Максимальный выходной ток спада
  • Минимальная рабочая температура
  • Максимальная рабочая температура
Показать результаты
Очистить выбранное
Вид:
Сортировать по: 
наименованию
 
цене

Выгодная цена Только в наличии

536 товаров
Уведомить
Наименование Описание Артикул Наличие Цена Корпус Кол-во нижних каналов Кол-во верхних каналов Максимальное напряжение смещения Максимальный выходной ток нарастания Максимальный выходной ток спада
Fairchild
KA7552A
43-16-99
2003 шт.

12,30 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
ST Microelectronics
L6384ED013TR
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса
44-70-88
258941 шт.

82,00 руб. | от 1 шт.

72,00 руб. | от 17 шт.

61,50 руб. | от 48 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
ST Microelectronics
L6388ED013TR
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Траб: -45...125 °C
44-71-02
1933 шт.

84,00 руб. | от 1 шт.

73,50 руб. | от 16 шт.

63,00 руб. | от 47 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
BRO/AVAG
HCPL-3120-000E
21-54-12
1925 шт.

95,50 руб. | от 1 шт.

83,50 руб. | от 15 шт.

71,50 руб. | от 41 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
ST Microelectronics
L6385ED013TR
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Траб: -45...125 °C
44-70-92
1323 шт.

31,60 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Infineon
IR2110PBF
DRIVER, MOSFET HI & LO,TUBE25 Driver IC Type High and Low Side Outputs, No. of 2 Voltage, Output 520V Output Current 2.5A Power, Dissipation Pd 1.6W Voltage, Supply Min 10V Case Style DIP No. of Pins 14 Operating Temperature Range -40°C to +125°C Base Number 2110 IC Generic Number 2110 Logic Function Number 2110 Packaging Type Tube Temp, Op. Max 125°C Temp, Op. Min -40°C Termination Type Through Hole Voltage, Offset 500V Voltage, Output Max 20V Voltage, Output Min 10V Voltage, Supply Max 20V Output Sink Current Min 2000mA Output Source Current Min 2000mA Time, t Off 94ns Time, t On 120ns
21-34-74
5844 шт.

104,00 руб. | от 1 шт.

90,00 руб. | от 13 шт.

77,50 руб. | от 38 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Infineon
IR4427STRPBF
21-06-84
5 шт.

63,00 руб. | от 1 шт.

55,50 руб. | от 22 шт.

47,50 руб. | от 62 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Infineon
IRS2181STRPBF
50-94-83
488 шт.

128,00 руб. | от 1 шт.

112,00 руб. | от 11 шт.

95,50 руб. | от 31 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Infineon
IR2110STRPBF
DRIVER, MOSFET/IGBT, HALF BRIDGE, SMD; Driver IC Type:High and Low Side; Outputs, No. of:2; Voltage, Output:520V; Current, Output:2.5A; Power, Dissipation Pd:1.25W; Voltage, Supply Min:10V; Case Style:SOIC; Pins, No. of:16; Temperature, Operating Range:-40°C to +125°C; Base Number:2110; IC Generic Number:2110; Logic Function Number:2110; Temp, Op. Max:125°C; Temp, Op. Min:-40°C; Termination Type:SMD; Voltage, Offset:500V; Voltage, Output Max:20V; Voltage, Output Min:10V; Voltage, Supply Max:20V; Current, Output Sink Min:2000mA; Current, Output Source Min:2000mA; Time, t Off:94ns; Time, t On:120ns
28-46-18
7637 шт.

105,00 руб. | от 1 шт.

92,00 руб. | от 13 шт.

78,50 руб. | от 38 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Texas Instruments
TPS2818DBVR
DRIVER, MOSFET, SMD, SOT-23-5; Driver IC Type:MOSFET; Outputs, No. of:1; Voltage, Output:15.5V; Current, Output:2A; Power, Dissipation Pd:437mW; Voltage, Supply Min:4V; Case Style:SOT-23; Pins, No. of:5; Temperature, Operating Range:-40°C to +125°C; Termination Type:SMD; Voltage, Supply Max:14V
3-90-90
92192 шт.

189,00 руб. | от 1 шт.

165,00 руб. | от 8 шт.

142,00 руб. | от 21 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
High Speed Dual MOSFET Driver
19-90-59
2700 шт.

69,00 руб. | от 1 шт.

60,50 руб. | от 20 шт.

51,50 руб. | от 57 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
ST Microelectronics
L6387ED013TR
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Траб: -45...125 °C
44-70-99
1401 шт.

31,60 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Microchip
TC4427AEOA713
60-61-04
865 шт.

50,50 руб. | от 1 шт.

44,40 руб. | от 27 шт.

38,00 руб. | от 78 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
High Speed Dual MOSFET Driver
27-63-18
8397 шт.

26,90 руб. | от 1 шт.

23,50 руб. | от 50 шт.

20,20 руб. | от 146 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Texas Instruments
LM5109BMA/NOPB
Half Bridge Gate Driver; Driver Type:IGBT; Supply Voltage Min:8V; Termination Type:SMD; Package/Case:8-NSOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Drivers:2
26-53-44
75108 шт.

84,50 руб. | от 1 шт.

74,00 руб. | от 16 шт.

63,50 руб. | от 47 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Texas Instruments
LM5104MX/NOPB
32-26-22
74503 шт.

171,00 руб. | от 1 шт.

149,00 руб. | от 8 шт.

128,00 руб. | от 23 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Infineon
IR2104PBF
DRIVER, MOSFET/IGBT, HALF BRIDGE; Driver IC Type:MOSFET; Outputs, No. of:2; Voltage, Output:620V; Current, Output:210mA; Power, Dissipation Pd:1W; Voltage, Supply Min:10V; Case Style:DIP; Pins, No. of:8; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C; Base Number:2104; IC Generic Number:2104; Logic Function Number:2104; Temp, Op. Max:150°C; Temp, Op. Min:-55°C; Termination Type:Through Hole; Voltage, Offset:600V; Voltage, Output Max:20V; Voltage, Output Min:10V; Voltage, Supply Max:20V; Current, Output Sink Min:270mA; Current, Output Source Min:130mA; Time, t Off:150ns; Time, t On:680ns
22-37-10
23331 шт.

50,00 руб. | от 1 шт.

44,00 руб. | от 27 шт.

37,70 руб. | от 78 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Texas Instruments
TPS2828DBVR
MOSFET Driver IC; Driver Type:MOSFET; No. of Outputs:1; Output Voltage:15.5V; Output Current:2A; Power Dissipation, Pd:437mW; Supply Voltage Min:4V; Supply Voltage Max:14V; Termination Type:SMD; Package/Case:SOT-23; No. of Pins:5
13-37-12
69597 шт.

142,00 руб. | от 1 шт.

124,00 руб. | от 10 шт.

106,00 руб. | от 28 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Texas Instruments
TPS2814PWR
2-95-36
66000 шт.

161,00 руб. | от 1 шт.

141,00 руб. | от 9 шт.

121,00 руб. | от 25 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-
Texas Instruments
UCC27324DGN
DUAL LOW MOSFET DRIVER 4A, 27324; Voltage, Input Max:16V; Current, Output Max:4A; Voltage, Output Max:450mV; Outputs, No. of:2; Power Dissipation:3W; Voltage, Supply Min:4V; Voltage, Supply Max:15V; Termination Type:SMD; Case Style:MSOP; Pins, No. of:8; Temperature, Operating Range:-40°C to +85°C; Temp, Op. Max:85°C; Temp, Op. Min:-40°C; Base Number:27324; IC Generic Number:27324; Logic Function Number:27324; Power Supply IC Type:MOSFET Driver; Voltage, Input Min:-0.3V; Voltage, Output:150mV
24-40-73
1585 шт.

132,00 руб. | от 1 шт.

116,00 руб. | от 11 шт.

99,00 руб. | от 30 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
-
-

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9

Страница 1 из 27, показываются 20 товаров из 536

MOSFET транзисторы


Полевые транзисторы MOSFET

MOSFET это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.


Работа MOSFET транзисторов

В отличии от биполярных транзисторов управляемых током полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.


Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg.
  • Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.


    Конструкция MOSFET транзисторов

    MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0