• О компании
  • Что с моим заказом?
  • Помощь
  • Еще
    • Как сделать заказ
    • Возврат и обмен товаров
    • Часто задаваемые вопросы
    • Бонусы за заказ онлайн
Загрузка корзины
close

Для Почты РФ номер заказа необходимо вводить в формате N-XXX-XXX

 

 

capcha

Узнать статус заказа
Внимание!   В связи с плановым отключением электроэнергии 30 и 31 марта отгрузка заказов с нашего склада будет отложена. В случае необходимости, просим оформить покупки до 29 марта. Заказы, оформленные с 30 Марта по 2 Апреля будут отгружены не ранее 4 Апреля. Все это время сайт будет функционировать в обычном режиме.
dko

8 (800) 500-58-87
6
причин купить через сайт
  • Заказ
  • Оплата
  • Доставка
  • Гарантия и возврат
  • Контакты

IGBT

Цена (руб.):

от
до
Параметры:
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э

Развернуть все

Показать результаты
Очистить выбранное
Электронные компоненты
Цена
от
до
Параметры:
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
Показать результаты
Очистить выбранное
Вид:
Сортировать по: 
наименованию
 
цене

Выгодная цена Только в наличии

648 товаров
Уведомить
Наименование Описание Артикул Наличие Цена Корпус Напряжение К-Э максимальное Ток коллектора максимальный при 25°C Напряжение насыщения К-Э
Fairchild
NDS331N
30-25-04
9822 шт.

6,80 руб. | от 1 шт.

5,90 руб. | от 200 шт.

5,10 руб. | от 590 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGP10NC60KD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 35 нс; Диод Uпад: 2 В
45-00-57
968 шт.

32,30 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
Fairchild
FDS9945
31-17-02
2048 шт.

17,80 руб. | от 1 шт.

15,60 руб. | от 76 шт.

13,30 руб. | от 221 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGW30NC120HD
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Примечание: IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
45-00-66
530 шт.

193,00 руб. | от 1 шт.

169,00 руб. | от 7 шт.

145,00 руб. | от 21 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4PC50UDPBF
IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 55A Voltage, Vce Sat Max 2V Power Dissipation 200W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 220A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 110ns Time, Rise 25ns Transistors, No. of 1
19-07-57
727 шт.

266,00 руб. | от 1 шт.

233,00 руб. | от 6 шт.

200,00 руб. | от 15 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
Fairchild
KA5M0365RYDTU
134-54-55
59099 шт.

91,00 руб. | от 1 шт.

79,50 руб. | от 15 шт.

68,00 руб. | от 50 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4BC20FDPBF
50-84-04
52062 шт.

108,00 руб. | от 1 шт.

94,00 руб. | от 13 шт.

80,50 руб. | от 37 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4PC50SPBF
IGBT, 600V, 70A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 70A Voltage, Vce Sat Max 1.36V Power Dissipation 200W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 140A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 600ns Time, Rise 30ns Transistors, No. of 1
21-22-64
1009 шт.

219,00 руб. | от 1 шт.

192,00 руб. | от 7 шт.

164,00 руб. | от 18 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4PH50SPBF
IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 57A Voltage, Vce Sat Max 1.47V Power Dissipation 200W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current, Icm Pulsed 114A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 638ns Time, Rise 29ns
20-77-46
317 шт.

231,00 руб. | от 1 шт.

202,00 руб. | от 6 шт.

173,00 руб. | от 17 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGP14NC60KD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 14 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 61 нс; Диод Uпад: 1.8 В
45-00-58
148 шт.

89,50 руб. | от 1 шт.

78,50 руб. | от 15 шт.

67,00 руб. | от 50 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGD5NB120SZT4
IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 1.2 кВ; Iк@25°C: 5 А; Uкэ.нас: 2 В
21-00-07
40339 шт.

89,50 руб. | от 1 шт.

78,50 руб. | от 15 шт.

67,00 руб. | от 44 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4PH50UPBF
IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 45A Voltage, Vce Sat Max 3.7V Power Dissipation 200W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current, Icm Pulsed 180A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 500ns Time, Rise 15ns Transistors, No. of 1
24-36-79
261 шт.

256,00 руб. | от 1 шт.

224,00 руб. | от 6 шт.

192,00 руб. | от 16 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGP6NC60HD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 7 А; Uкэ.нас: 1.7 В; Диод tвосст: 34 нс; Диод Uпад: 1.3 В
26-73-13
1 шт.

57,50 руб. | от 1 шт.

50,50 руб. | от 24 шт.

43,40 руб. | от 68 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
Fairchild
ISL9V3040S3ST
66-12-30
776 шт.

82,50 руб. | от 1 шт.

72,00 руб. | от 17 шт.

62,00 руб. | от 48 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4PC40SPBF
IGBT, 600V, 60A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 60A Voltage, Vce Sat Max 1.6V Power Dissipation 160W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 120A Device Marking IRG4PC40SPBF No. of Pins 3 Power, Pd 160W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 380ns Time, Rise 18ns Transistors, No. of 1
20-77-59
286 шт.

67,50 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4PC40WPBF
IGBT, 600V, 40A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:160A; Device Marking:IRG4PC40WPBF; Pins, No. of:3; Power, Pd:160W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall:124ns; Time, Fall Max:124ns; Time, Rise:23ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vceo:600V
28-92-90
504 шт.

134,00 руб. | от 1 шт.

117,00 руб. | от 11 шт.

101,00 руб. | от 25 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
Infineon
IRG4PC50FDPBF
IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 70A Voltage, Vce Sat Max 1.7V Power Dissipation 200W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 280A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 140ns Time, Rise 25ns Transistors, No. of 1
24-87-05
995 шт.

249,00 руб. | от 1 шт.

218,00 руб. | от 6 шт.

187,00 руб. | от 16 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGD3NB60SDT4
IGBT транзистор - [TO-252-3]
30-84-29
1241 шт.

12,40 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGD18N40LZT4
IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 420 В; Iк@25°C: 25 А; Uкэ.нас: 1.3 В
88-31-01
2586 шт.

84,00 руб. | от 1 шт.

73,50 руб. | от 16 шт.

63,00 руб. | от 47 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ST Microelectronics
STGP19NC60HD
IGBT транзистор -
28-30-87
1048 шт.

124,00 руб. | от 1 шт.

108,00 руб. | от 11 шт.

92,50 руб. | от 32 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9

Страница 1 из 33, показываются 20 товаров из 648

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.