• О компании
  • Что с моим заказом?
  • Помощь
  • Еще
    • Как сделать заказ
    • Возврат и обмен товаров
    • Часто задаваемые вопросы
    • Бонусы за заказ онлайн
Загрузка корзины
close

Для Почты РФ номер заказа необходимо вводить в формате N-XXX-XXX

 

 

capcha

Узнать статус заказа
Внимание!   В связи с плановым отключением электроэнергии 30 и 31 марта отгрузка заказов с нашего склада будет отложена. В случае необходимости, просим оформить покупки до 29 марта. Заказы, оформленные с 30 Марта по 2 Апреля будут отгружены не ранее 4 Апреля. Все это время сайт будет функционировать в обычном режиме.
dko

8 (800) 500-58-87
6
причин купить через сайт
  • Заказ
  • Оплата
  • Доставка
  • Гарантия и возврат
  • Контакты

Транзисторы

Показать результаты
Очистить выбранное
Электронные компоненты
Разделы

Покупатели рекомендуют
  • IRF640NPBF

    на складе

    Артикул: 18-74-16

    <
    >
  • MJE15033G

    на складе

    Артикул: 19-07-60

    <
    >
  • IRFP360PBF

    на складе

    Артикул: 24-05-12

    <
    >
  • SPW47N60C3FKSA1

    на складе

    Артикул: 5-77-07

    <
    >
  • SKM100GB125DN

    на складе

    Артикул: 6-15-04

    <
    >
Вид:
Сортировать по: 
наименованию
 
цене

Выгодная цена Только в наличии

6636 товаров
Уведомить
Наименование Описание Артикул Наличие Цена
NEXPERIA
PMBT3904.215
21-05-47
57588 шт.

0,32 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
NEXPERIA
BC846B.235
3-48-62
24715611 шт.

1,40 руб. | от 1 шт.

1,20 руб. | от 1100 шт.

1,00 руб. | от 3000 шт.

<
>
Купить
NEXPERIA
BC857B.215
1-47-46
320896 шт.

0,79 руб. | от 1 шт.

0,70 руб. | от 1800 шт.

0,60 руб. | от 5000 шт.

Хит
<
>
Купить
NEXPERIA
BC846B.215
TRANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:65V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:200mV; Power Dissipation:500mW; Hfe, Min:200; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:100mA; Current, Ic hFE:2mA; Device Marking:BC846B; Marking, SMD:1B; NF, Max:10dB; Pins, No. of:3; Power, Ptot:250mW; Quantity, Reel:3000; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:80V; Width, Tape:8mm; ft, Min:100MHz
1-66-47
203004 шт.

0,83 руб. | от 1 шт.

0,73 руб. | от 1700 шт.

0,63 руб. | от 4800 шт.

Хит
<
>
Купить
NEXPERIA
BC817-25.215
17-48-27
86726 шт.

0,87 руб. | от 1 шт.

0,76 руб. | от 1600 шт.

0,65 руб. | от 4600 шт.

Хит
<
>
Купить
NPN Bipolar Transistor
43-31-26
33465 шт.

0,95 руб. | от 1 шт.

0,83 руб. | от 1500 шт.

0,71 руб. | от 4200 шт.

Хит
<
>
Купить
MOSFET, N, 50V, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:50V; Current, Id Cont:0.2A; Resistance, Rds On:3.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:1.5V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Power, Pd:0.225W; Voltage, Vds Max:50V
23-22-11
115739 шт.

2,00 руб. | от 1 шт.

1,80 руб. | от 700 шт.

1,50 руб. | от 2000 шт.

Хит
<
>
Купить
Fairchild
FDV303N
MOSFET, N, DIGITAL, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:25V; Current, Id Cont:0.68A; Resistance, Rds On:0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.8V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:2A; Depth, External:2.5mm; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:303; Pins, No. of:3; Power Dissipation:0.35W; Power, Pd:0.35W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, ESD Breakdown:6kV; Voltage, Rds Measurement:2.7V; Voltage, Vds Max:25V; Voltage, Vgs th Max:1.5V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
17-89-59
43557 шт.

2,40 руб. | от 1 шт.

2,10 руб. | от 600 шт.

1,80 руб. | от 1700 шт.

<
>
Купить
TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Type:Digital Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:-0.25V; Power Dissipation:246mW; Hfe, Min:35; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:100mA; Current, Ic hFE:5mA; Marking, SMD:A8A; Pin Configuration:1; Pins, No. of:3; Power, Ptot:0.2W; Resistance, R1:10kohm; Resistance, R2:10kohm; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:50V
22-31-36
46926 шт.

0,86 руб. | от 1 шт.

0,75 руб. | от 1600 шт.

0,64 руб. | от 4600 шт.

Хит
<
>
Купить
PNP Bipolar Transistor
35-66-66
60492 шт.

0,95 руб. | от 1 шт.

0,83 руб. | от 1500 шт.

0,71 руб. | от 4200 шт.

Хит
<
>
Купить
NPN Bipolar Transistor
26-34-93
259000 шт.

0,75 руб. | от 1 шт.

0,66 руб. | от 1800 шт.

0,57 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
NEXPERIA
BC856B.215
3-13-38
569669 шт.

0,80 руб. | от 1 шт.

0,70 руб. | от 1700 шт.

0,60 руб. | от 5000 шт.

Хит
<
>
Купить
NPN Bipolar Transistor
26-33-63
830188 шт.

0,74 руб. | от 1 шт.

0,64 руб. | от 1900 шт.

0,56 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
NEXPERIA
2N7002.215
3-02-84
277270 шт.

1,90 руб. | от 1 шт.

1,60 руб. | от 800 шт.

1,40 руб. | от 2200 шт.

Хит
<
>
Купить
Fairchild
BCV27
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:30V; Current, Ic Continuous a Max:1200mA; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:350mW; Hfe, Min:20000; ft, Typ:220MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:1200mA; Current, Ic hFE:100mA; Device Marking:BCV27; Marking, SMD:FF; Pins, No. of:3; Power, Ptot:350mW; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:40V
30-93-28
9066 шт.

2,40 руб. | от 1 шт.

2,10 руб. | от 600 шт.

1,80 руб. | от 1700 шт.

<
>
Купить
PNP Bipolar Transistor
32-32-58
36589 шт.

0,82 руб. | от 1 шт.

0,72 руб. | от 1700 шт.

0,61 руб. | от 4800 шт.

<
>
Купить
NPN Bipolar Transistor
16-00-49
70588 шт.

0,97 руб. | от 1 шт.

0,85 руб. | от 1400 шт.

0,73 руб. | от 4100 шт.

Хит
<
>
Купить
PNP Bipolar Transistor
34-02-91
164951 шт.

0,78 руб. | от 1 шт.

0,68 руб. | от 1800 шт.

0,59 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:0.4V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:50; ft, Typ:200MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Ic hFE:300mA; Power, Ptot:0.3W
20-89-58
59319 шт.

0,90 руб. | от 1 шт.

0,78 руб. | от 1600 шт.

0,67 руб. | от 4400 шт.

Хит
<
>
Купить
NEXPERIA
BC847B.215
TRANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:45V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:200mV; Power Dissipation:250mW; Hfe, Min:200; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:100A; Current, Ic hFE:2A; Device Marking:BC847B; Marking, SMD:1F; NF, Max:10dB; Pins, No. of:3; Power, Ptot:200mW; Quantity, Reel:3000; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:50V; Width, Tape:8mm; ft, Min:100MHz
2-36-86
703675 шт.

0,81 руб. | от 1 шт.

0,71 руб. | от 1700 шт.

0,61 руб. | от 4900 шт.

Хит
<
>
Купить

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9

Страница 1 из 332, показываются 20 товаров из 6636

Транзисторы – активные электронные компоненты, предназначенные для усилениямощности при оптимальном значении управляющего параметра.

В зависимости от технологии изготовления транзисторы делятся на виды:

  • биполярные транзисторы;
  • полевые транзисторы.
  • Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы на p-n переходах.В разработках более сложных с наличием прецизионных элементов чаще используют полевые транзисторы, изготовленные по технологии МОП (металл – окисел-проводник).

    Основное назначение биполярного транзистора состоит в усилении тока коллектора при определенном значении управляющего напряжения p-nперехода эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение на переходе эмиттер-база составляет 0,7 В.

    Полевой транзистор так же служит для усиления мощности на выходе, но управляется напряжением, приложенным к затвору. Управляющее напряжение на затворе изеняется в допустимых пределах. Понижение управляющего напряжения ниже допустимых пределов приводит к увеличению времени открытия канала исток - сток, увеличению сопротивления и нагреванию корпуса транзистора.

    Увеличение температуры окружающей среды приводит к деградации связей в кристаллической структуре, понижению тока, увеличению сопротивления и как следствие к выделению избыточного тепла через корпус транзистора и его перегреву.

    Особую популярность в промышленной электронике получили полевые транзисторы, выполненные по технологии MOSFET.

    Транзисторы MOSFETхарактеризуются высокой скоростью переключения в режиме насыщения при незначительном управляющем значении напряжения на затворе. Данное качество является особо ценным при применении данных транзисторов в качестве переключающих элементов (ключей).

    Преимущества полевых транзисторов MOSFET:

  • низкое значение емкости затвора на входе;
  • низкое сопротивление открытого канала сток-исток при и температуре 25°C