• О компании
  • Что с моим заказом?
  • Помощь
  • Еще
    • Как сделать заказ
    • Возврат и обмен товаров
    • Часто задаваемые вопросы
    • Бонусы за заказ онлайн
Загрузка корзины
close

Для Почты РФ номер заказа необходимо вводить в формате N-XXX-XXX

 

 

capcha

Узнать статус заказа
dko

8 (800) 500-58-87
office@electronshik.ru
Внимание! Цены на сайте действительны только при онлайн заказе! При заказе через email - цены будут выше на 7%.
6
причин купить через сайт
  • Заказ
  • Оплата
  • Доставка
  • Гарантия и возврат
  • Контакты

Транзисторы

Показать результаты
Очистить выбранное
Электронные компоненты
Разделы

Покупатели рекомендуют
  • IRF640NPBF

    на складе

    Артикул: 18-74-16

    <
    >
  • MJE15033G

    на складе

    Артикул: 19-07-60

    <
    >
  • IRFP360PBF

    на складе

    Артикул: 24-05-12

    <
    >
  • SPW47N60C3FKSA1

    на складе

    Артикул: 5-77-07

    <
    >
  • SKM100GB125DN

    срок 7

    Артикул: 6-15-04

    <
    >
Вид:
Сортировать по: 
наименованию
 
цене

Выгодная цена Только в наличии

6621 товаров
Уведомить
Наименование Описание Артикул Наличие Цена
NXP SEMICONDUCTORS
BC846B.235
3-48-62
57185622 шт.

1,50 руб. | от 1 шт.

1,30 руб. | от 1100 шт.

1,10 руб. | от 3000 шт.

<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
BC847BLT1G
NPN Bipolar Transistor
26-34-93
42664 шт.

0,78 руб. | от 1 шт.

0,68 руб. | от 1900 шт.

0,59 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
PMBT3904.215
21-05-47
58618 шт.

0,35 руб. | от 1 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC857B.215
1-47-46
419694 шт.

0,83 руб. | от 1 шт.

0,73 руб. | от 1800 шт.

0,63 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC846B.215
TRANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:65V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:200mV; Power Dissipation:500mW; Hfe, Min:200; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:100mA; Current, Ic hFE:2mA; Device Marking:BC846B; Marking, SMD:1B; NF, Max:10dB; Pins, No. of:3; Power, Ptot:250mW; Quantity, Reel:3000; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:80V; Width, Tape:8mm; ft, Min:100MHz
1-66-47
244940 шт.

0,83 руб. | от 1 шт.

0,73 руб. | от 1800 шт.

0,63 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC847B.215
TRANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:45V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:200mV; Power Dissipation:250mW; Hfe, Min:200; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:100A; Current, Ic hFE:2A; Device Marking:BC847B; Marking, SMD:1F; NF, Max:10dB; Pins, No. of:3; Power, Ptot:200mW; Quantity, Reel:3000; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:50V; Width, Tape:8mm; ft, Min:100MHz
2-36-86
445965 шт.

0,83 руб. | от 1 шт.

0,73 руб. | от 1800 шт.

0,63 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC856B.215
3-13-38
111828 шт.

0,85 руб. | от 1 шт.

0,75 руб. | от 1700 шт.

0,64 руб. | от 5000 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC847C.215
1-96-45
852766 шт.

0,83 руб. | от 1 шт.

0,73 руб. | от 1800 шт.

0,63 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
BC846BLT1G
NPN Bipolar Transistor
26-33-63
198990 шт.

0,75 руб. | от 1 шт.

0,66 руб. | от 2000 шт.

0,57 руб. | от 6000 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
PMBT2222A.215
21-09-14
21684753 шт.

1,20 руб. | от 1 шт.

1,00 руб. | от 1300 шт.

0,86 руб. | от 3000 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC817-25.215
17-48-27
103616 шт.

0,94 руб. | от 1 шт.

0,83 руб. | от 1600 шт.

0,71 руб. | от 4500 шт.

Хит
<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
BC817-25LT1G
NPN Bipolar Transistor
34-65-08
78571 шт.

1,10 руб. | от 1 шт.

0,88 руб. | от 1500 шт.

0,76 руб. | от 4200 шт.

Хит
<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
MMBT2222ALT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:40V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:0.3V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:100; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:600mA; Current, Ic hFE:300mA; Current, Icm Peak:1.1A; Hfe, Min:100
17-93-36
80058 шт.

0,93 руб. | от 1 шт.

0,82 руб. | от 1600 шт.

0,70 руб. | от 4500 шт.

Хит
<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
2N7002LT1G
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.115A; Resistance, Rds On:7.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.5V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:0.8A; Depth, External:2.5mm; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:702; Pins, No. of:3; Power Dissipation:0.2W; Power, Pd:0.2W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs th Max:2.5V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
19-04-31
248680 шт.

1,20 руб. | от 1 шт.

0,98 руб. | от 1300 шт.

0,84 руб. | от 3000 шт.

Хит
<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
BC807-40LT1G
PNP Bipolar Transistor
35-66-66
35809 шт.

1,10 руб. | от 1 шт.

0,88 руб. | от 1500 шт.

0,76 руб. | от 4200 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
PMBTA06.215
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 500 мА; Pрасс: 250 мВт; Fгран: 100 МГц; h21: 50 Технические характеристики: Корпус SOT-23-3 Тип проводимости и конфигурация NPN Напряжение КЭ максимальное 80 В Ток коллектора 500мА Рассеиваемая мощность 250мВт Граничная рабочая частота 100МГц Коэффициент усиления по току 50 Комплементарная пара PMBTA56
30-96-29
14800 шт.

2,30 руб. | от 1 шт.

2,00 руб. | от 700 шт.

1,70 руб. | от 1900 шт.

<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
MMBT3904LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:40V; Current, Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:0.2V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:30; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Ic hFE:300mA; Power, Ptot:0.3W
19-57-07
98548 шт.

0,88 руб. | от 1 шт.

0,77 руб. | от 1700 шт.

0,67 руб. | от 4800 шт.

Хит
<
>
Купить
ON SEMICONDUCTOR
BC857BLT1G
PNP Bipolar Transistor
34-02-91
204077 шт.

0,87 руб. | от 1 шт.

0,75 руб. | от 1700 шт.

0,65 руб. | от 4900 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC807-25.215
2-44-63
59257 шт.

0,97 руб. | от 1 шт.

0,85 руб. | от 1500 шт.

0,73 руб. | от 4300 шт.

Хит
<
>
Купить
NXP SEMICONDUCTORS
BC857C.215
3-13-65
503663 шт.

0,85 руб. | от 1 шт.

0,75 руб. | от 1700 шт.

0,64 руб. | от 5000 шт.

Хит
<
>
Купить

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9

Страница 1 из 332, показываются 20 товаров из 6621

Производители

Транзисторы – активные электронные компоненты, предназначенные для усилениямощности при оптимальном значении управляющего параметра.

В зависимости от технологии изготовления транзисторы делятся на виды:

  • биполярные транзисторы;
  • полевые транзисторы.
  • Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы на p-n переходах.В разработках более сложных с наличием прецизионных элементов чаще используют полевые транзисторы, изготовленные по технологии МОП (металл – окисел-проводник).

    Основное назначение биполярного транзистора состоит в усилении тока коллектора при определенном значении управляющего напряжения p-nперехода эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение на переходе эмиттер-база составляет 0,7 В.

    Полевой транзистор так же служит для усиления мощности на выходе, но управляется напряжением, приложенным к затвору. Управляющее напряжение на затворе изеняется в допустимых пределах. Понижение управляющего напряжения ниже допустимых пределов приводит к увеличению времени открытия канала исток - сток, увеличению сопротивления и нагреванию корпуса транзистора.

    Увеличение температуры окружающей среды приводит к деградации связей в кристаллической структуре, понижению тока, увеличению сопротивления и как следствие к выделению избыточного тепла через корпус транзистора и его перегреву.

    Особую популярность в промышленной электронике получили полевые транзисторы, выполненные по технологии MOSFET.

    Транзисторы MOSFETхарактеризуются высокой скоростью переключения в режиме насыщения при незначительном управляющем значении напряжения на затворе. Данное качество является особо ценным при применении данных транзисторов в качестве переключающих элементов (ключей).

    Преимущества полевых транзисторов MOSFET:

  • низкое значение емкости затвора на входе;
  • низкое сопротивление открытого канала сток-исток при и температуре 25°C