• О компании
  • Что с моим заказом?
  • Помощь
  • Еще
    • Как сделать заказ
    • Возврат и обмен товаров
    • Часто задаваемые вопросы
    • Бонусы за заказ онлайн
Загрузка корзины
close

Для Почты РФ номер заказа необходимо вводить в формате N-XXX-XXX

 

 

capcha

Узнать статус заказа
dko

8 (800) 500-58-87
6
причин купить через сайт
  • Заказ
  • Оплата
  • Доставка
  • Гарантия и возврат
  • Контакты

Транзисторы IGBT

Цена (руб.):

от
до
Параметры:
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э

Развернуть все

Показать результаты
Очистить выбранное
Электронные компоненты
Цена
от
до
Параметры:
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
Показать результаты
Очистить выбранное
Вид:
Сортировать по: 
наименованию
 
цене

Выгодная цена Только в наличии

436 товаров
Уведомить
Наименование Описание Артикул Наличие Цена Корпус Напряжение К-Э максимальное Ток коллектора максимальный при 25°C Напряжение насыщения К-Э
ST MICROELECTRONICS
STGP10NC60KD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 35 нс; Диод Uпад: 2 В
45-00-57
1310 шт.

39,00 руб. | от 1 шт.

39,00 руб. | от 19 шт.

39,00 руб. | от 50 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
FDS9945
31-17-02
958 шт.

22,50 руб. | от 1 шт.

19,50 руб. | от 70 шт.

17,00 руб. | от 202 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ON SEMICONDUCTOR (DIVISION OF MOTOROLA)
NGD15N41ACLT4G
Ignition IGBT, 15 A, 410 V
103-36-18
404500 шт.
Купить
-
-
-
-
ST MICROELECTRONICS
STGP6NC60HD
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 7 А; Uкэ.нас: 1.7 В; Диод tвосст: 34 нс; Диод Uпад: 1.3 В
26-73-13
32 шт.

67,50 руб. | от 1 шт.

59,00 руб. | от 24 шт.

50,50 руб. | от 68 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
KA5M0365RYDTU
134-54-55
143125 шт.
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
ISL9V3040S3ST
66-12-30
404 шт.

100,00 руб. | от 1 шт.

87,50 руб. | от 16 шт.

75,00 руб. | от 46 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
INFINEON TECHNOLOGIES AG
IRG4PC50UDPBF
IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 55A Voltage, Vce Sat Max 2V Power Dissipation 200W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 220A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 110ns Time, Rise 25ns Transistors, No. of 1
19-07-57
683 шт.

276,50 руб. | от 1 шт.

242,00 руб. | от 6 шт.

207,50 руб. | от 17 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ST MICROELECTRONICS
STGW30NC120HD
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Примечание: IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
45-00-66
600 шт.

223,50 руб. | от 1 шт.

196,00 руб. | от 7 шт.

168,00 руб. | от 21 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
ST MICROELECTRONICS
STGD18N40LZT4
IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 420 В; Iк@25°C: 25 А; Uкэ.нас: 1.3 В
88-31-01
739 шт.

96,50 руб. | от 1 шт.

84,50 руб. | от 17 шт.

72,50 руб. | от 47 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
NDS331N
30-25-04
2664 шт.

8,30 руб. | от 1 шт.

7,30 руб. | от 190 шт.

6,30 руб. | от 550 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
FGH40N60UFDTU
56-10-99
1167 шт.

186,00 руб. | от 1 шт.

162,50 руб. | от 9 шт.

139,50 руб. | от 25 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
FGH40N60SMD
68-42-20
1454 шт.

224,00 руб. | от 1 шт.

196,00 руб. | от 7 шт.

168,00 руб. | от 21 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
HGTG20N60B3
17-60-46
50672 шт.
Купить
-
-
-
-
ON SEMICONDUCTOR (DIVISION OF MOTOROLA)
NGB8207ABNT4G
Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 365 V
103-36-15
9 шт.

95,00 руб. | от 1 шт.

83,00 руб. | от 17 шт.

71,00 руб. | от 48 шт.

Выгодная цена
<
>
Купить
-
-
-
-
INFINEON TECHNOLOGIES AG
IRG4PC40UDPBF
IGBT, 600V, 40A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 40A Voltage, Vce Sat Max 2.4V Power Dissipation 160W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 160A Device Marking IRG4PC40UDPBF No. of Pins 3 Power, Pd 160W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall 120ns Time, Fall Max 80ns Time, Rise 57ns Transistors, No. of 1
19-38-56
2881 шт.

191,50 руб. | от 1 шт.

167,50 руб. | от 9 шт.

143,50 руб. | от 25 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ON SEMICONDUCTOR (DIVISION OF MOTOROLA)
NGB8206ANT4G
Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 350 V
104-02-44
19 шт.

152,00 руб. | от 1 шт.

133,00 руб. | от 11 шт.

114,00 руб. | от 30 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.
HGTG5N120BND
IGBT, 1200V, 21A; Transistor Type:NPT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:21A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:167W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C
3-97-17
299 шт.

170,50 руб. | от 1 шт.

149,50 руб. | от 10 шт.

128,00 руб. | от 30 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
INFINEON TECHNOLOGIES AG
2ED020I12FIXUMA1
24-61-47
156 шт.

274,50 руб. | от 1 шт.

240,50 руб. | от 6 шт.

206,00 руб. | от 17 шт.

<
>
Купить
-
-
-
-
INFINEON TECHNOLOGIES AG
SGP10N60A
111-85-33
56 шт.

207,00 руб. | от 1 шт.

181,00 руб. | от 8 шт.

155,00 руб. | от 22 шт.

Хит
<
>
Купить
-
-
-
-
ST MICROELECTRONICS
STGD5NB120SZT4
IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 1.2 кВ; Iк@25°C: 5 А; Uкэ.нас: 2 В
21-00-07
36537 шт.
Купить
-
-
-
-

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9

Страница 1 из 22, показываются 20 товаров из 436

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.