IRG4PSH71UDPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, TO-274AA
Transistor Type IGBT
Transistor Polarity N
Voltage, Vces 1200V
Current Ic Continuous a Max 50A
Voltage, Vce Sat Max 2.7V
Power Dissipation 350W
Case Style TO-247AA
Termination Type Through Hole
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V
Current, Icm Pulsed 200A
No. of Pins 3
Power, Pd 350W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Time, Rise 77ns
Transistors, No. of 1
Корпус TO274AA , Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 99 А, Напряжение насыщения К-Э 2.7 В, Время включения 46 нс, Время выключения 250 нс, Время восстановления диода 110 нс, Максимальная мощность 350 Вт, Заряд затвора 380 нКл, Тип входа стандартный , Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO274AA
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C99 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.7 В
-
Время включения46 нс
-
Время выключения250 нс
-
Время восстановления диода110 нс
-
Максимальная мощность350 Вт
-
Заряд затвора380 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеIGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz