IRGS14C40LPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, D2-PAK
Transistor Type IGBT
Transistor Polarity N Channel
Voltage, Vces 400V
Current Ic Continuous a Max 20A
Voltage, Vce Sat Max 1.4V
Power Dissipation 125W
Case Style D2-PAK
Termination Type SMD
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 430V
Power, Pd 125W
SMD Marking GS14C40L
Time, Rise 2.8ns
Корпус TO263 , Напряжение К-Э максимальное 430 , Ток коллектора максимальный при 25°C 20 А, Напряжение насыщения К-Э 1.75 В, Время включения 900 нс, Время выключения 6 мкс, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 27 нКл, Тип входа логический , Примечание IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Напряжение К-Э максимальное430
-
Ток коллектора максимальный при 25°C20 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.75 В
-
Время включения900 нс
-
Время выключения6 мкс
-
Максимальная мощность125 Вт
-
Заряд затвора27 нКл
-
Тип входалогический
-
ПримечаниеIGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)