• О компании
  • Что с моим заказом?
  • Помощь
  • Еще
    • Как сделать заказ
    • Возврат и обмен товаров
    • Часто задаваемые вопросы
    • Бонусы за заказ онлайн
Загрузка корзины
close

Для Почты РФ номер заказа необходимо вводить в формате N-XXX-XXX

 

 

capcha

Узнать статус заказа
dko

8 (800) 500-58-87
6
причин купить через сайт
  • Заказ
  • Оплата
  • Доставка
  • Гарантия и возврат
  • Контакты
NEWS subscribe
UNITERA subscribe
NE subscribe

Высоковольтные семейства MDmesh K5 от ST Microelectronics


29.09.17, 00:00

 

Транзисторы семейства MDmesh K5 от ST Microelectronics представляют собой высоковольтные MOSFET, изготовленные по технологии super-junction. По сравнению с предшествующей технологией SuperMESH 3 уменьшена толщина основного слоя полупроводниковой структуры, что позволило снизить сопротивление канала в открытом состоянии (Rgs(on)) и базовый параметр оценки MOSFET – FOM (произведение Rgs on на заряд затвора). 

Семейство MDmesh K5 включает транзисторы с напряжением от 800 до 1500 В. Высокое напряжение пробоя транзисторов дает возможность увеличить надежность проектируемых изделий или применить их в более высоковольтных приложениях.

Новые 900–вольтовые транзисторы имеют сопротивление Rgs(on) до 0,1 Ом, причем приборы  в корпусе DPAK имеют лучшую в отрасли величину сопротивления – 0,81 Ом макс. Кроме того, благодаря минимальной в отрасли величине заряда затвора они имеют более высокую скорость переключения. Эти характеристики увеличивают КПД и надежность для всех типов обратноходовых преобразователей мощностью от 35 до 230 Вт. Низкие входные и выходные емкости обеспечивают коммутацию при нулевом напряжении с минимальными потерями энергии в полумостовых преобразователях LLC.

Транзисторы MDmesh K5 идеально подходят для применения импульсных преобразователях, 3-фазных вспомогательные источниках питания, для светодиодного освещения, в измерительных приборах, солнечных инверторах, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Имеющиеся в наличии транзисторы MDmesh K5

Наименование Напряжение, В Ток, макс., А R ds(on), макс., Ом Qg, тип, нКл Корпус

STB6N80K5

800 4,5 1,6 13

D2PAK

STF15N80K5

800 14  0,375 32

TO-220FP

STF6N95K5

950 9 1,25 13

TO-220FP

STL4N80K5

800 2,5 0,25 10,5

PowerFLAT5x6 VHV

STP21N90K5

900 18,5 0,299 43

TO-220

STW12N120K5

1200 12 0,69 44,2

TO-247

STW21N90K5

900 18,5 0,299 43

TO-247