Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Биполярные транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип проводимости и конфигурация
  • Комплементарная пара
  • Рассеиваемая мощность
  • Напряжение КЭ максимальное
  • Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
  • Ток коллектора
  • Граничная рабочая частота
  • Коэффициент усиления по току
  • Встроенное сопротивление в базовой цепи
  • Встроенное сопротивление в цепи БЭ
  • Примечание
Найдено: 20079
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
BC847CW (YJ) хит 269 889 шт. от 2,07 0 дн.
Немедленно
SS8550-L (YJ) хит 4 039 шт. от 1,89 0 дн.
Немедленно
FMMT591 (DIODES) % 1 512 шт. от 27,00 0 дн.
Немедленно
2N6488G (ONS) % 991 шт. от 28,00 0 дн.
Немедленно
BC807-40LT1G (ONS) 56 085 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
BC817-25LT1G (ONS) 45 566 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
BC817-40LT3G (ONS) 440 834 шт. от 6,91 0 дн.
Немедленно
BC846BLT1G (ONS) 568 863 шт. от 1,00 0 дн.
Немедленно
BC846BPDW1T1G (ONS) 3 554 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
BC847ALT1G (ONS) 114 798 шт. от 1,37 0 дн.
Немедленно
BC847BDW1T1G (ONS) 10 364 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
BC847BLT1G (ONS) 360 721 шт. от 1,35 0 дн.
Немедленно
BC847BWT1G (ONS) 50 918 шт. от 1,00 0 дн.
Немедленно
BC847CDW1T1G (ONS) 30 370 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно
BC847CLT1G (ONS) 272 085 шт. от 1,00 0 дн.
Немедленно
BC848BLT1G (ONS) % 38 807 шт. от 1,01 0 дн.
Немедленно
BC856BDW1T1G (ONS) 34 005 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
BC856BLT1G (ONS) 155 401 шт. от 1,00 0 дн.
Немедленно
BC856BWT1G (ONS) 52 568 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно
BC857BDW1T1G (ONS) 62 561 шт. от 2,00 0 дн.
Немедленно

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 04.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 04.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.