Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46142
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Срок
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
M24128-BWMN6TP (ST) %
+
336478 9,50 1 дн.
M24256-BRMN6TP (ST)
+
289347 16,30 1 дн.
M24512-RMN6P (ST)
+
87022 31,60 1 дн.
M24512-WDW6TP (ST) %
+
117563 15,30 1 дн.
M24512-WMN6TP (ST)
+
221604 32,10 1 дн.
M24C02-RMN6TP (ST)
+
768096 6,60 1 дн.
M24C02-WMN6P (ST)
+
654928 6,60 1 дн.
M24C02-WMN6TP (ST)
+
1073759 5,90 1 дн.
M24C04-WBN6P (ST)
+
61971 19,50 1 дн.
M24C04-WDW6TP (ST) %
+
707511 2,50 1 дн.
M24C04-WMN6TP (ST)
+
747509 7,00 1 дн.
M24C08-WMN6P (ST)
+
529876 7,70 1 дн.
M24C16-RBN6P (ST)
+
56766 34,80 1 дн.
M24C16-RMN6TP (ST) хит
+
574706 8,40 1 дн.
M24C16-WMN6TP (ST)
+
791835 7,30 1 дн.
M24C32-WMN6P (ST)
+
282772 9,40 1 дн.
M24C64-WMN6TP (ST)
+
575258 10,00 1 дн.
M24LR64-RMN6T/2 (ST)
+
1051 102,00 1 дн.
M24M01-RMN6TP (ST)
+
153943 58,50 1 дн.
M48Z58Y-70PC1 (ST)
+
14 1 070,00 1 дн. NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень