Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Внимание! С 6 по 8 марта - выходные дни. Заказы, оформленные на сайте в этот период, будут обработаны 9 марта 2021 г.
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46512
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
23K256-I/SN (MCRCH) хит
+
76295 70,00 0 дн.
Немедленно
23LCV1024-I/SN (MCRCH)
+
34009 159,00 0 дн.
Немедленно
24AA02E48-I/SN (MCRCH) хит
+
191425 18,10 0 дн.
Немедленно
24LC00T-I/OT (MCRCH) %
+
431970 6,80 0 дн.
Немедленно
24LC01B-I/P (MCRCH)
+
192895 20,00 0 дн.
Немедленно
24LC01BT-I/OT (MCRCH)
+
693097 13,40 0 дн.
Немедленно
24LC02B-I/P (MCRCH)
+
252287 18,40 0 дн.
Немедленно
24LC02B-I/SN (MCRCH) хит
+
368267 14,10 0 дн.
Немедленно
24LC04B/P (MCRCH) %
+
240596 11,10 0 дн.
Немедленно
24LC08B-I/SN (MCRCH) %
+
313209 10,60 0 дн.
Немедленно
24LC1025-I/SM (MCRCH) хит
+
46705 143,00 0 дн.
Немедленно
24LC128-I/SN (MCRCH)
+
229269 31,60 0 дн.
Немедленно
24LC16B-I/P (MCRCH)
+
215131 20,70 0 дн.
Немедленно
24LC16B-I/SN (MCRCH)
+
270294 15,30 0 дн.
Немедленно
24LC16BT-I/OT (MCRCH) хит
+
438783 17,20 0 дн.
Немедленно
24LC256-I/P (MCRCH) хит
+
135234 50,50 0 дн.
Немедленно
24LC256-I/SM (MCRCH) хит
+
138169 46,30 0 дн.
Немедленно
24LC256-I/SN (MCRCH)
+
200902 39,80 0 дн.
Немедленно
24LC256T-I/SM (MCRCH)
+
134499 40,90 0 дн.
Немедленно
24LC256T-I/SN (MCRCH)
+
235534 39,90 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 08.03.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 08.03.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины