Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 60274
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
IS42S16160J-7TLI (ISSI)
+
649 шт. от 390,00 0 дн.
Немедленно
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS42S16320D-7TLI (ISSI)
+
164 шт. от 1 280,00 0 дн.
Немедленно
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS42S16320F-7TLI (ISSI)
+
1 347 шт. от 1 140,00 0 дн.
Немедленно
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS42S16400J-7TLI (ISSI) хит
+
13 436 шт. от 203,00 0 дн.
Немедленно
W25Q16JVSSIQ (WINBOND) хит
+
59 118 шт. от 30,70 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVSNIG TR (WINBOND)
+
21 883 шт. от 27,10 0 дн.
Немедленно
MR25H256CDF (EVS) хит
+
179 шт. от 501,00 0 дн.
Немедленно
MRAM (Magnetoresistive RAM)
MR25H40CDF (EVS)
+
349 шт. от 1 590,00 0 дн.
Немедленно
MRAM (Magnetoresistive RAM)
UT62256CSCL-70LL (UTRON)
+
621 шт. от 257,00 0 дн.
Немедленно
IS42S16320F-6TL (ISSI)
+
591 шт. от 1 270,00 0 дн.
Немедленно
SDRAM (Synchronous DRAM)
MB85RS256BPNF-G-JNERE1 (FUJITSU)
+
6 304 шт. от 177,00 0 дн.
Немедленно
FRAM (Ferroelectric RAM)
MX25L1606EM2I-12G (MX) хит
+
11 062 шт. от 35,60 0 дн.
Немедленно
MX25R1635FZNIH0 (MX)
+
12 563 шт. от 72,00 0 дн.
Немедленно
W25X40CLZPIG (WINBOND) хит
+
8 462 шт. от 51,00 0 дн.
Немедленно
M24512-WDW6TP (ST)
+
518 шт. от 25,10 0 дн.
Немедленно
M24C02-WMN6TP (ST) хит
+
66 шт. от 5,40 0 дн.
Немедленно
M24C04-WMN6TP (ST) хит
+
3 363 шт. от 5,30 0 дн.
Немедленно
M24C08-WMN6P (ST) хит
+
791 шт. от 7,90 0 дн.
Немедленно
M24C16-RMN6TP (ST)
+
12 350 шт. от 10,70 0 дн.
Немедленно
M24C16-WMN6TP (ST)
+
4 184 шт. от 6,90 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.05.2022 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.05.2022 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован.