Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Организация памяти
  • Напряжение питания
  • Особенности
  • Рабочая температура
  • Время доступа
Найдено: 28806
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
ZD24C08A-SSGMB (ZETTA) 24 423 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C08A-STGMT (ZETTA) 8 721 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C128A-SSGMB (ZETTA) 33 999 шт. от 10,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C16A-SSGMB (ZETTA) 59 634 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C1MA-SSGMB (ZETTA) 8 241 шт. от 40,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C256A-SSGMB (ZETTA) 14 410 шт. от 11,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C32A-SSGMB (ZETTA) 17 352 шт. от 5,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C512A-SSGMB (ZETTA) 15 611 шт. от 24,00 0 дн.
Немедленно
ZD24C64A-SSGMB (ZETTA) 7 350 шт. от 7,00 0 дн.
Немедленно
GD25Q16ETIGR (GIGADEV) 52 620 шт. от 24,00 0 дн.
Немедленно
GD25Q80ETIGR (GIGADEV) 36 673 шт. от 19,00 0 дн.
Немедленно
GD25WQ16ETIGR (GIGADEV) 28 344 шт. от 25,00 0 дн.
Немедленно
GD25WQ80ETIGR (GIGADEV) 4 923 шт. от 20,00 0 дн.
Немедленно
P24C02A-SSH-MIR (PUYA) хит 130 265 шт. от 3,00 0 дн.
Немедленно
P24C256B-SSH-MIR (PUYA) 105 312 шт. от 8,00 0 дн.
Немедленно
W25Q16JVSSIQ (WINBOND) хит 96 943 шт. от 20,00 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVSNIG (WINBOND) хит 70 576 шт. от 22,00 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVSNIG TR (WINBOND) хит 65 635 шт. от 28,00 0 дн.
Немедленно
W25Q80DVSNIG/REEL (WINBOND) хит 7 575 шт. от 22,00 0 дн.
Немедленно
P24C128D-SSH-MIR (PUYA) хит 108 531 шт. от 6,00 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 07.02.2023 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 07.02.2023 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.