Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Фильтр×
  • Производитель:
    ISSI ×
Найдено: 3436
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
IS42S16400J-7TLI (ISSI)
+
37438 115,00 0 дн.
Немедленно
IS42S16320D-7TLI (ISSI)
+
2856 1 250,00 0 дн.
Немедленно
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS62C1024AL-35QLI (ISSI)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IS42S16160J-7TLI (ISSI)
+
13922 256,00 0 дн.
Немедленно
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS42S16320F-7TLI (ISSI)
+
4784 1 120,00 0 дн.
Немедленно
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS42S16400J-7TL (ISSI)
+
43018 133,00 0 дн.
Немедленно
IS61C64AL-10TLI (ISSI)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IS42S32800J-6TLI (ISSI)
+
3899 995,59 15 дн.
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS61LV256AL-10TLI (ISSI)
уведомить 8 дн.
IS62C256AL-45ULI (ISSI)
уведомить 3 дн.
IS42S16160G-7TLI (ISSI)
+
7293 365,94 3 дн.
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS42S16320B-7TLI (ISSI)
+
38 1 079,68 7 дн.
IS42S16320D-7BLI (ISSI)
уведомить 8 дн.
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS42S16400F-7TLI (ISSI)
+
653 1 476,42 8 дн.
IS42S32800D-7BLI (ISSI)
+
274 757,57 8 дн.
IS42S32800G-7BLI (ISSI)
+
4530 1 657,40 15 дн.
SDRAM (Synchronous DRAM)
IS43DR16640B-25DBLI (ISSI)
+
4754 1 418,13 7 дн.
IS43TR16128B-15HBLI (ISSI)
+
37 941,66 8 дн.
IS43TR16256A-15HBLI (ISSI)
уведомить 3 дн.
IS62C1024AL-35TLI (ISSI)
уведомить 3 дн.

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 28.01.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 28.01.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины