Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Фильтр×
  • Производитель:
    ROHM ×
Найдено: 639
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
BR24L01AFJ-WE2 (ROHM)
+
37327 56,11 12 дн.
BR24L04FJ-WE2 (ROHM)
+
33737 63,59 3 дн.
BR24L16F-WE2 (ROHM)
+
52037 74,82 8 дн.
BR24L32F-WE2 (ROHM)
+
28047 84,79 11 дн.
BR93L46-W (ROHM)
+
2099 69,83 3 дн.
BR93L46F-WE2 (ROHM)
+
96973 36,87 8 дн.
BR93L46FJ-WE2 (ROHM)
+
9329 54,87 3 дн.
BR24L01AF-WE2 (ROHM)
+
62550 42,00 14 дн.
BR24L02F-WE2 (ROHM)
+
118119 41,15 7 дн.
BR24L04F-WE2 (ROHM)
+
66811 44,89 8 дн.
BR24L08F-WE2 (ROHM)
+
43505 67,33 8 дн.
BR24L16FJ-WE2 (ROHM)
+
38507 78,56 12 дн.
BR24L64F-WE2 (ROHM)
+
33344 115,97 7 дн.
BR93L56F-WE2 (ROHM)
+
30155 54,87 8 дн.
BR24L08FJ-WE2 (ROHM)
+
31612 69,83 12 дн.
BR93L66-W (ROHM)
+
906 104,97 15 дн.
BR93L66F-WE2 (ROHM)
+
2947 61,10 8 дн.
BR93L76F-WE2 (ROHM)
+
7759 71,08 8 дн.
BR24S256FJ-WE2 (ROHM)
+
4024 230,68 12 дн.
BR25L160FJ-WE2 (ROHM)
+
10471 119,71 12 дн.

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень