Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Фильтр×
  • Производитель:
    ST ×
Найдено: 1440
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
M24128-BWMN6TP (ST)
+
498794 9,40 0 дн.
Немедленно
M24256-BRMN6TP (ST)
+
494021 12,20 0 дн.
Немедленно
M24256-BWMN6TP (ST)
+
495859 13,40 0 дн.
Немедленно
M24512-RMN6P (ST) хит
+
191359 23,40 0 дн.
Немедленно
M24512-RMN6TP (ST) хит
+
359153 22,40 0 дн.
Немедленно
M24512-WMN6TP (ST)
+
275549 23,30 0 дн.
Немедленно
M24C02-RMN6TP (ST)
+
794133 5,30 0 дн.
Немедленно
M24C02-WMN6P (ST)
+
740450 5,50 0 дн.
Немедленно
M24C02-WMN6TP (ST)
+
1237138 5,60 0 дн.
Немедленно
M24C04-WDW6TP (ST)
+
901008 6,70 0 дн.
Немедленно
M24C04-WMN6TP (ST) %
+
1337795 4,10 0 дн.
Немедленно
M24C08-WMN6P (ST)
+
718649 5,00 0 дн.
Немедленно
M24C16-RMN6TP (ST)
+
822176 6,00 0 дн.
Немедленно
M24C16-WBN6P (ST)
+
100184 22,30 0 дн.
Немедленно
M24C16-WMN6TP (ST)
+
997061 6,10 0 дн.
Немедленно
M24C32-WMN6P (ST)
+
401676 7,90 0 дн.
Немедленно
M24C64-WMN6TP (ST) хит
+
707400 8,40 0 дн.
Немедленно
M24M01-RMN6TP (ST) хит
+
232283 36,10 0 дн.
Немедленно
M24SR02-YDW6T/2 (ST) %
+
87488 24,20 0 дн.
Немедленно
M24SR02-YMC6T/2 (ST) %
+
150743 13,00 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень