Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Фильтр×
  • Производитель:
    TI ×
Найдено: 93
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
BQ2022DBZR (TI)
+
1766 303,08 9 дн.
BQ2022LPR (TI)
+
1766 303,08 9 дн.
BQ2201PN (TI)
+
2777 192,77 9 дн.
BQ2201SN (TI)
+
2688 199,19 8 дн.
BQ2201SN-N (TI)
+
9860 424,06 7 дн.
BQ2201SN-NTR (TI)
+
15000 192,21 15 дн.
BQ2201SNTR (TI)
+
2688 199,19 9 дн.
BQ2204APN (TI)
+
8059 627,13 9 дн.
BQ2204ASN (TI)
+
9686 653,02 9 дн.
BQ2204ASN-N (TI)
+
7584 653,02 9 дн.
BQ2204ASNTR (TI)
+
13523 548,50 9 дн.
BQ4010LYMA-70N (TI)
+
182 1 171,62 9 дн.
BQ4010MA-150 (TI)
+
222 1 171,62 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
BQ4010MA-200 (TI)
+
457 1 171,62 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
BQ4010MA-70 (TI)
+
457 1 171,62 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
BQ4010MA-85 (TI)
+
7 1 171,62 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
BQ4010YMA-200 (TI)
+
457 1 171,62 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
BQ4010YMA-70 (TI)
+
35 879,25 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
BQ4010YMA-70N (TI)
+
609 879,25 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
BQ4010YMA-85 (TI)
+
303 1 171,62 9 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень