Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46447
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
MT47H128M8SH-25E AIT:M TR (MICRON)
+
1140 837,00 0 дн.
Немедленно
MX25L3206EZUI-12GT/R (MX)
+
96 86,00 0 дн.
Немедленно
ANT7-T-ST25DV04K (ST)
+
3389 562,81 7 дн.
M24C01-WMN6 (ST)
+
2015 370,83 6 дн.
ST25DV04K-JFR6U3 (ST)
+
32003 47,79 45 дн.
DS2401/B0E (MAX)
уведомить
DS2401AX1-102-0D2# (MAX)
уведомить
CAT24WC66WI-GT3 (ONS)
уведомить
CAT25256YI-GT3C (ONS)
+
11363 50,47 7 дн.
CAT25320HU3IGT3C (ONS)
уведомить
CAT25320YI-GT3C (ONS)
уведомить
CAT25640HU3IGT3E (ONS)
уведомить
LE24L043CB-TL-TE-R-H (ONS)
уведомить
LE24LB642CSTL-TFM-H (ONS)
уведомить
LE25FW056CS-A-TRM-H (ONS)
уведомить
AM29F200BB-70SF (CYPR)
+
10 462,68 3 дн.
CG8406AA (CYPR)
уведомить
CY14B064I-SFXIT (CYPR)
+
2000 427,82 65 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
CY14B101I-SFXIT (CYPR)
+
2000 836,30 60 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
CY14B101LA-ZS25XIT (CYPR)
+
1000 1 673,79 60 дн.
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень