Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46548
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
MX25R1635FZNIH0 (MX)
+
1 шт. от 99,00 0 дн.
Немедленно
ANT7-T-ST25DV04K (ST)
+
1 409 шт. от 462,31 8 дн.
M24C01-WMN6 (ST)
+
1 757 шт. от 318,62 8 дн.
ST25DV04K-JFR6U3 (ST)
+
14 253 шт. от 33,67 140 дн.
DS2401/B0E (MAX)
+
905 шт. от 80,01 18 дн.
DS2401AX1-102-0D2# (MAX)
+
7 638 шт. от 100,59 18 дн.
DS2502AX-500-00/T&R/ (MAX)
+
32 051 шт. от 15,54 18 дн.
AT24C256C-SSHL (MCRCH)
+
1 322 шт. от 102,33 3 дн.
CY7C4285V-15ASXI (ROCH)
+
17 шт. от 2 100,50 18 дн.
SRAM - Dual Port, Asynchronous
CAT24WC66WI-GT3 (ONS)
+
75 230 шт. от 8,26 18 дн.
CAT25256YI-GT3C (ONS)
+
15 671 шт. от 48,89 18 дн.
CAT25320HU3IGT3C (ONS)
+
30 856 шт. от 24,84 18 дн.
CAT25640HU3IGT3E (ONS)
+
28 215 шт. от 27,16 18 дн.
LE24LB642CSTL-TFM-H (ONS)
+
16 455 шт. от 46,56 18 дн.
71342LA25PFGI (IDT)
+
360 шт. от 1 502,23 125 дн.
SRAM - Dual Port, Asynchronous
CG7803AA (CYPR)
уведомить 25 дн.
CG7901AA (CYPR)
уведомить 25 дн.
CG7910AA (CYPR)
уведомить 25 дн.
CG7965AA (CYPR)
уведомить 25 дн.
CG8100AA (CYPR)
уведомить 25 дн.

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины