Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46548
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
DS1971-F5+ (MAX)
+
3 696 шт. от 284,00 0 дн.
Немедленно
DS1977-F5# (MAX)
+
2 298 шт. от 988,00 0 дн.
Немедленно
DS1990A-F5+ (MAX) %
+
4 288 шт. от 122,00 0 дн.
Немедленно
DS2411R+T&R (MAX)
+
50 833 шт. от 71,50 0 дн.
Немедленно
DS2430A+ (MAX)
+
26 541 шт. от 169,00 0 дн.
Немедленно
DS2431P+ (MAX) %
+
14 206 шт. от 97,50 0 дн.
Немедленно
DS2502P-E48+ (MAX)
+
5 856 шт. от 201,00 0 дн.
Немедленно
AT25640B-XHL-B. (MCRCH) %
+
662 шт. от 13,10 0 дн.
Немедленно
AT88SC0404C-PI (MCRCH) %
+
305 шт. от 41,50 0 дн.
Немедленно
AT25XE161D-SHN-T (ADESTO)
+
10 шт. от 41,90 0 дн.
Немедленно
CAT24C256XE-T2 (ONS) %
+
21 616 шт. от 34,80 0 дн.
Немедленно
CAT25AM02 (ONS) %
+
10 шт. от 7,70 0 дн.
Немедленно
72V233L7-5PF (IDT) %
+
2 шт. от 1 500,00 0 дн.
Немедленно
FM31256-GTR (CYPR) хит
+
1 779 шт. от 282,00 0 дн.
Немедленно
FM31278-G (CYPR)
+
489 шт. от 884,00 0 дн.
Немедленно
M25P16-VMN6TP (MICRON)
уведомить 0 дн.
Немедленно
S25FL064LABMFI010 (CYPR)
уведомить 0 дн.
Немедленно
EPC2TI32N (ALT) хит
+
36 шт. от 2 000,00 0 дн.
Немедленно
EPCQ16ASI8N (ALT)
+
750 шт. от 347,00 0 дн.
Немедленно
EPCQ256SI16N (ALT)
уведомить 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины