Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46447
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
DS1971-F5+ (MAX)
+
3526 279,00 0 дн.
Немедленно
DS1977-F5# (MAX) %
+
5538 925,00 0 дн.
Немедленно
DS1990A-F5+ (MAX)
уведомить
DS1993L-F5+ (MAX)
+
900 524,00 0 дн.
Немедленно
DS2411R+T&R (MAX)
+
121735 70,50 0 дн.
Немедленно
DS2430A+ (MAX) хит %
+
33780 293,92 6 дн.
DS2431+ (MAX)
+
90792 79,50 0 дн.
Немедленно
DS2431P+ (MAX)
+
47591 83,00 0 дн.
Немедленно
DS2431P+T&R (MAX) хит
+
125084 78,00 0 дн.
Немедленно
DS2502P-E48+ (MAX)
+
20102 177,00 0 дн.
Немедленно
48LM01-I/SM (MCRCH) %
уведомить 6 дн.
AT25640B-XHL-B. (MCRCH) %
уведомить
AT88SC0404C-PI (MCRCH) %
уведомить
AT45DB041D-SUR (ADESTO)
уведомить
CAT24C256XE-T2 (ONS) %
+
15802 24,20 0 дн.
Немедленно
CAT25AM02 (ONS) %
уведомить
6AV6671-8XB10-0AX1 (SIEMENS) %
+
78 4 240,00 0 дн.
Немедленно
FM31256-GTR (CYPR)
+
19480 331,00 0 дн.
Немедленно
FM31278-G (CYPR)
+
3592 1 030,00 0 дн.
Немедленно
FM31L278-GTR (CYPR)
+
4398 376,00 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень