Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46546
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
M24C16-WMN6TP (ST)
+
26 445 шт. от 6,60 0 дн.
Немедленно
M24LR04E-RDW6T/2 (ST)
+
85 064 шт. от 37,80 0 дн.
Немедленно
M24LR04E-RMN6T/2 (ST) хит
+
77 034 шт. от 37,80 0 дн.
Немедленно
M24SR02-YMC6T/2 (ST) %
+
81 444 шт. от 18,00 0 дн.
Немедленно
DS1971-F5+ (MAX)
+
3 972 шт. от 287,00 0 дн.
Немедленно
DS1977-F5# (MAX)
+
2 898 шт. от 1 000,00 0 дн.
Немедленно
DS1990A-F5+ (MAX) %
+
4 291 шт. от 124,00 0 дн.
Немедленно
DS2411R+T&R (MAX)
+
53 093 шт. от 72,50 0 дн.
Немедленно
AT17LV002-10JU (MCRCH)
+
1 701 шт. от 1 430,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV010-10CU (MCRCH) %
+
1 736 шт. от 809,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV010-10JU (MCRCH) %
+
1 632 шт. от 1 010,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV010-10PU (MCRCH) хит
+
3 460 шт. от 1 090,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV010A-10JU (MCRCH) хит %
+
2 422 шт. от 604,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV010A-10PU (MCRCH) хит
+
4 684 шт. от 726,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV256-10NU (MCRCH)
+
3 434 шт. от 733,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV256-10PU (MCRCH) хит
+
6 236 шт. от 678,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV512A-10JU (MCRCH)
+
4 675 шт. от 460,00 0 дн.
Немедленно
AT17LV512A-10PU (MCRCH) хит
+
7 366 шт. от 457,00 0 дн.
Немедленно
AT25640B-XHL-B. (MCRCH) %
+
674 шт. от 13,30 0 дн.
Немедленно
AT88SC0404C-PI (MCRCH) %
+
305 шт. от 42,10 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 27.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 27.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины