Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46548
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
M24128-BWMN6TP (ST) хит
+
192 167 шт. от 11,20 0 дн.
Немедленно
M24256-BRMN6TP (ST)
+
827 шт. от 11,30 0 дн.
Немедленно
M24256-BWMN6P (ST) хит
+
172 165 шт. от 17,70 0 дн.
Немедленно
M24256-BWMN6TP (ST)
+
156 921 шт. от 11,60 0 дн.
Немедленно
M24512-RMN6P (ST) хит
+
91 430 шт. от 27,80 0 дн.
Немедленно
M24512-RMN6TP (ST)
+
149 304 шт. от 20,30 0 дн.
Немедленно
M24512-WDW6TP (ST)
+
120 370 шт. от 25,20 0 дн.
Немедленно
M24512-WMN6P (ST) хит
+
11 005 шт. от 25,30 0 дн.
Немедленно
M24512-WMN6TP (ST) хит
+
149 866 шт. от 22,80 0 дн.
Немедленно
M24C01-RMN6TP (ST) хит
+
30 981 шт. от 4,00 0 дн.
Немедленно
M24C01-WMN6TP (ST)
+
462 365 шт. от 5,60 0 дн.
Немедленно
M24C02-DRMN8TP/K (ST)
+
202 503 шт. от 9,30 0 дн.
Немедленно
M24C02-RMN6TP (ST)
+
406 543 шт. от 5,40 0 дн.
Немедленно
M24C02-WMN6P (ST)
+
450 610 шт. от 6,50 0 дн.
Немедленно
M24C02-WMN6TP (ST) хит
+
69 115 шт. от 5,20 0 дн.
Немедленно
M24C04-WDW6TP (ST) %
+
384 350 шт. от 5,00 0 дн.
Немедленно
M24C04-WMN6TP (ST) хит
+
516 556 шт. от 5,40 0 дн.
Немедленно
M24C08-WMN6P (ST) %
+
309 110 шт. от 5,50 0 дн.
Немедленно
M24C16-RMN6TP (ST) хит
+
18 219 шт. от 6,90 0 дн.
Немедленно
M24C16-WBN6P (ST) хит
+
1 430 шт. от 27,90 0 дн.
Немедленно

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины