Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46548
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
M24C04-WMN6TP (ST) хит
+
419 056 шт. от 5,30 0 дн.
Немедленно
CAT24C08YI-GT3 (ONS)
+
374 043 шт. от 9,68 11 дн.
M24C02-WMN6P (ST)
+
370 567 шт. от 6,50 0 дн.
Немедленно
M24C01-WMN6TP (ST)
+
364 925 шт. от 5,50 0 дн.
Немедленно
M24C02-WDW6TP (ST)
+
343 859 шт. от 5,99 3 дн.
CAT24C04YI-GT3 (ONS)
+
337 228 шт. от 8,96 10 дн.
M24C01-WMN6P (ST)
+
323 683 шт. от 5,80 7 дн.
M24C04-RMN6TP (ST)
+
322 961 шт. от 4,83 3 дн.
M95020-WMN6TP (ST) %
+
315 967 шт. от 4,60 0 дн.
Немедленно
M24C04-WMN6P (ST)
+
306 128 шт. от 6,65 7 дн.
M24C04-WDW6TP (ST) %
+
303 905 шт. от 5,00 0 дн.
Немедленно
M24C02-RMN6TP (ST)
+
299 043 шт. от 5,30 0 дн.
Немедленно
M93C46-WDW6TP (ST) %
+
287 465 шт. от 4,90 0 дн.
Немедленно
M95040-WMN6TP (ST)
+
283 552 шт. от 8,00 0 дн.
Немедленно
M24C02-FMN6TP (ST)
+
282 500 шт. от 6,51 200 дн.
M93C46-WMN6TP (ST)
+
282 179 шт. от 6,40 0 дн.
Немедленно
M24C32-WMN6TP (ST)
+
277 805 шт. от 7,83 3 дн.
CAT25080YI-GT3 (ONS)
+
273 980 шт. от 23,00 10 дн.
CAT24C02TDI-GT3A (ONS)
+
273 040 шт. от 8,23 10 дн.
24AA01T-I/OT (MCRCH)
+
272 832 шт. от 13,13 3 дн.

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины