Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Энергонезависимая память

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Тип памяти
  • Подтип памяти
  • Интерфейс
  • Объём памяти
  • Напряжение питания
Найдено: 46548
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
AT27LV010A-12VI (MCRCH)
уведомить
AT29C1024-12JI (MCRCH)
уведомить
LE25S20MB-AH (ONS)
уведомить
6116LA25TPG (IDT)
уведомить
6116SA25TPGI (IDT)
уведомить
7005L15JG (IDT)
уведомить
68-PLCC (24.21x24.21) SRAM - Dual Port, Asynchronous
7005L15PFG8 (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous
7005L20JGI (IDT)
уведомить
68-PLCC (24.21x24.21) SRAM - Dual Port, Asynchronous
7005L20JGI8 (IDT)
уведомить
68-PLCC (24.21x24.21) SRAM - Dual Port, Asynchronous
7005L20PFGI8 (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous
7005S20G (IDT)
уведомить
68-PGA (29.46x29.46) SRAM - Dual Port, Asynchronous
7006L15PFG (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous
7006L20JGI (IDT)
уведомить
68-PLCC (24.21x24.21) SRAM - Dual Port, Asynchronous
7006L20PFGI (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous
7006L20PFGI8 (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous
7007L20JGI (IDT)
уведомить
68-PLCC (24.21x24.21) SRAM - Dual Port, Asynchronous
7007L20JGI8 (IDT)
уведомить
68-PLCC (24.21x24.21) SRAM - Dual Port, Asynchronous
7014S12PFG (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous
7024L15PFG8 (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous
7024L20PFGI8 (IDT)
уведомить
SRAM - Dual Port, Asynchronous

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины