Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

IGBT транзисторы

  • Наименование
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
  • Максимальная мощность
  • Заряд затвора
  • Тип входа
Фильтр×
  • Производитель:
    INFIN ×
Найдено: 1359
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
IEWS20R5135IPBXKLA1 (INFIN) %
уведомить 0 дн.
Немедленно
IHW30N120R5XKSA1 (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IKB30N65EH5ATMA1 (INFIN) %
уведомить 0 дн.
Немедленно
IKB30N65ES5ATMA1 (INFIN) %
уведомить 0 дн.
Немедленно
IKW40N120CS6XKSA1 (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4BC30UDPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4BC40FPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PC40UDPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PC40UPBF (INFIN) %
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PC40WPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PC50FDPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PC50SPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PC50UDPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PC50UPBF (INFIN) %
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PF50WDPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PF50WPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PH30KDPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PH30KPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PH50KDPBF (INFIN)
уведомить 0 дн.
Немедленно
IRG4PH50SPBF (INFIN) %
уведомить 0 дн.
Немедленно

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень