Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

IGBT транзисторы

  • Наименование
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
  • Максимальная мощность
  • Заряд затвора
  • Тип входа
Фильтр×
  • Производитель:
    ROHM ×
Найдено: 18
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена
Отгрузка
Корпус
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
RGT16NS65DGTL (ROHM)
+
3882 193,43 6 дн.
RGT30NS65DGTL (ROHM)
+
4128 221,07 6 дн.
RGT40NS65DGTL (ROHM)
+
17060 263,11 7 дн.
RGT40TS65DGC11 (ROHM)
+
521 315,98 12 дн.
RGT50TS65DGC11 (ROHM)
+
928 378,45 12 дн.
RGT60TS65DGC11 (ROHM)
+
3504 358,03 12 дн.
RGT80TS65DGC11 (ROHM)
+
783 442,12 12 дн.
RGT8BM65DTL (ROHM)
+
988 289,75 13 дн.
RGT8NS65DGTL (ROHM)
+
5427 140,57 6 дн.
RGTH00TS65DGC11 (ROHM)
+
817 550,26 13 дн.
RGTH00TS65GC11 (ROHM)
+
766 449,34 6 дн.
RGTH40TS65DGC11 (ROHM)
+
12700 312,67 6 дн.
RGTH40TS65GC11 (ROHM)
+
4742 265,51 8 дн.
RGTH50TS65DGC11 (ROHM)
+
1218 378,45 8 дн.
RGTH50TS65GC11 (ROHM)
+
1398 343,61 8 дн.
RGTH60TS65DGC11 (ROHM)
+
1752 321,33 11 дн.
RGTH60TS65GC11 (ROHM)
+
593 352,02 6 дн.
RGTH80TS65DGC11 (ROHM)
+
3485 520,40 8 дн.

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень