IGBT транзисторы
?page=13&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 388
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB7H60DF (ST) | 791 шт. | от 192,45 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGD5H60DF (ST) | 13 309 шт. | от 68,49 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGF15M65DF2 (ST) | 1 018 шт. | от 117,34 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGF5H60DF (ST) | 2 493 шт. | от 36,50 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGF7H60DF (ST) | 6 496 шт. | от 91,60 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGP10M65DF2 (ST) | 2 399 шт. | от 127,28 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGP30H60DFB (ST) | 2 312 шт. | от 235,74 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGP30M65DF2 (ST) | 1 199 шт. | от 259,38 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGP5H60DF (ST) | 6 043 шт. | от 107,88 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGP7H60DF (ST) | 180 шт. | от 107,38 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| CM150DU-34KA (MIT) | 1 шт. | от 11 745,10 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| CM400DY-34A (MIT) | 21 шт. | от 20 209,80 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| CM50RL-24NF (MIT) | 1 шт. | от 11 411,60 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGB35N35LZT4 (ST) | 589 шт. | от 193,37 |
45 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 380V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA |
| STGP30H60DF (ST) | 678 шт. | от 283,43 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| GT30J121 (TOS) | 104 шт. | от 439,07 |
25 дн. |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| CM450HA-5F (MIT) | 4 шт. | от 33 578,20 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel |
| CM50BU-24H (MIT) | 4 шт. | от 24 151,90 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| CM75E3U-12H (MIT) | 2 шт. | от 2 448,20 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| CM75TU-24F (MIT) | 1 шт. | от 12 555,80 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
igbt-tranzistory