IGBT транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

IGBT транзисторы

Товары в наличии
Распродажа
Производитель
Наименование
Корпус
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание

Найдено: 4468

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Наличие	Цена с НДС	Отгрузка	Ток коллектора максимальный при 25°C	Напряжение насыщения К-Э	Время включения	Время выключения	Время восстановления диода	Максимальная мощность	Заряд затвора	Тип входа	Тип	Примечание
STGB10NB37LZT4 (ST) хит Выбрать →	8 754 шт.	от 194,00	0 дн. Немедленно					—				—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 375V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STGP19NC60HD (ST) Выбрать →	14 820 шт.	от 212,00	0 дн. Немедленно									—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STGW30NC60WD (ST) Выбрать →	965 шт.	от 156,00	0 дн. Немедленно									—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
STGW60V60DF (ST) хит Выбрать →	3 870 шт.	от 412,00	0 дн. Немедленно										Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
GT50JR22 (TOS) хит Выбрать →	4 075 шт.	от 97,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
DG15X12T2 (STARPWR) Выбрать →	553 шт.	от 102,00	0 дн. Немедленно					—					Trench IGBT, Low loss
DG10X06T1 (STARPWR) хит Выбрать →	642 шт.	от 51,00	0 дн. Немедленно					—					Trench IGBT, Low loss
DG120X07T2 (STARPWR) хит Выбрать →	139 шт.	от 429,00	0 дн. Немедленно					—		—
DG15X06T1 (STARPWR) хит Выбрать →	1 745 шт.	от 59,00	0 дн. Немедленно					—					Trench IGBT, Low loss
DG20X06T2 (STARPWR) хит Выбрать →	306 шт.	от 94,00	0 дн. Немедленно					—					Trench IGBT, Low loss
DG75X12T2 (STARPWR) хит Выбрать →	202 шт.	от 460,00	0 дн. Немедленно					—					Trench IGBT, Low loss
STGWA40M120DF3 (ST) Выбрать →	81 шт.	от 321,00	0 дн. Немедленно										Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IGW50N60H3 (INFIN) % Выбрать →	1 шт.	от 327,00	0 дн. Немедленно					—					IGBT 600V 100A 333W TO247-3
HGTG10N120BND (ONS-FAIR) Выбрать →	74 шт.	от 142,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
FGH40N60UFDTU (ONS-FAIR) Выбрать →	122 шт.	от 190,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
FGH60N60SMD (ONS-FAIR) Выбрать →	2 666 шт.	от 244,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
FGH40N60SFDTU (ONS-FAIR) Выбрать →	2 417 шт.	от 149,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
FGH60N60SFDTU (ONS-FAIR) Выбрать →	528 шт.	от 244,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ISL9V3040S3ST (ONS-FAIR) Выбрать →	246 шт.	от 83,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
FGH40N60SMD (ONS-FAIR) Выбрать →	761 шт.	от 238,00	0 дн. Немедленно	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 224, показано 20 товаров из 4468

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.