Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
  • Сопротивление открытого канала (мин)
Фильтр×
  • Производитель:
    VISHAY ×
Найдено: 3510
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Наличие
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
2N7002K-T1-GE3 (VISHAY) хит
+
590 190 шт. от 2,60 0 дн.
Немедленно
SI1026X-T1-GE3 (VISHAY) %
+
66 199 шт. от 9,70 0 дн.
Немедленно
SI2301BDS-T1-E3 (VISHAY)
+
332 980 шт. от 9,10 0 дн.
Немедленно
SI2301CDS-T1-GE3 (VISHAY) хит
+
34 096 шт. от 7,60 0 дн.
Немедленно
SI2302CDS-T1-E3 (VISHAY) хит
+
271 976 шт. от 9,70 0 дн.
Немедленно
SI2302CDS-T1-GE3 (VISHAY) хит
+
229 563 шт. от 7,20 0 дн.
Немедленно
SI2304DDS-T1-GE3 (VISHAY)
+
60 709 шт. от 6,70 0 дн.
Немедленно
SI2307BDS-T1-E3 (VISHAY) хит %
+
104 211 шт. от 9,50 0 дн.
Немедленно
SI2307CDS-T1-GE3 (VISHAY) хит
+
147 404 шт. от 7,70 0 дн.
Немедленно
SI2308BDS-T1-GE3 (VISHAY) хит
+
49 974 шт. от 13,60 0 дн.
Немедленно
SI2309CDS-T1-GE3 (VISHAY) хит
+
95 844 шт. от 15,00 0 дн.
Немедленно
SI2312BDS-T1-E3 (VISHAY)
+
178 013 шт. от 12,40 0 дн.
Немедленно
SI2319CDS-T1-GE3 (VISHAY) хит
+
98 679 шт. от 16,50 0 дн.
Немедленно
SI2323DS-T1-E3 (VISHAY) хит
+
84 909 шт. от 25,30 0 дн.
Немедленно
SI2325DS-T1-GE3 (VISHAY)
+
72 063 шт. от 32,40 0 дн.
Немедленно
SI2328DS-T1-E3 (VISHAY)
+
121 903 шт. от 14,30 0 дн.
Немедленно
SI4425BDY-T1-E3 (VISHAY) хит %
+
43 848 шт. от 46,70 0 дн.
Немедленно
SI4848DY-T1-E3 (VISHAY) хит
+
45 667 шт. от 41,00 0 дн.
Немедленно
SI7415DN-T1-E3 (VISHAY) %
+
21 430 шт. от 45,20 0 дн.
Немедленно
SI7469DP-T1-E3 (VISHAY)
+
12 587 шт. от 131,00 0 дн.
Немедленно

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы мировых лидеров Fairchild, Infineon, NXP, ON Semiconductor, ST Microelectronics, TOSHIBA, Vishay.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 01.08.2021 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 01.08.2021 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины