Полевые транзисторы
?page=10&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 368
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK12A60D (TOS) хит | 52 шт. | от 69,97 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK12A60W.S4VX (TOS) | 4 747 шт. | от 46,50 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK12A80W.S4X (TOS) | 17 473 шт. | от 217,14 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK12E60W.S1VX (TOS) | 100 шт. | от 259,16 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK12P60W.RVQ (TOS) | 787 шт. | от 169,60 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK13A60D (TOS) | 116 шт. | от 60,83 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK13A65U (TOS) | 6 294 шт. | от 91,81 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK14A65W.S5X (TOS) | 410 шт. | от 223,88 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14A65W5.S5X (TOS) | 190 шт. | от 295,79 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14E65W.S1X (TOS) | 48 шт. | от 679,50 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14E65W5.S1X (TOS) | 30 шт. | от 332,58 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14G65W.RQ (TOS) | 5 149 шт. | от 181,18 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK15A50D (TOS) | 7 760 шт. | от 59,82 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK15J50D[F] (TOS) | 3 281 шт. | от 317,27 |
4 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK15S04N1L.LQ (TOS) | 4 748 шт. | от 86,57 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK16A60W.S4VX (TOS) | 10 498 шт. | от 60,57 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK16A60W5.S4VX (TOS) | 160 шт. | от 230,66 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK16A60W5.S4VXM (TOS) | 1 059 шт. | от 114,39 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| TK16E60W.S1VX (TOS) | 128 шт. | от 227,46 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK16G60W.RVQ (TOS) | 981 шт. | от 458,27 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
polevye-tranzistory