Полевые транзисторы
?page=5&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 368
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ168TE85LF (TOS) | 51 076 шт. | от 15,79 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SJ305TE85LF (TOS) | 112 897 шт. | от 26,83 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK1828TE85LF (TOS) | 2 638 шт. | от 14,27 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2009TE85LF (TOS) | 181 249 шт. | от 15,37 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2313[F] (TOS) | 2 018 шт. | от 600,47 |
4 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK3265 (TOS) | 20 шт. | от 128,02 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| 2SK3700[F] (TOS) | 183 шт. | от 198,10 |
25 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK3797 (TOS) | 40 шт. | от 202,61 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
MOSFET, N, 600V, TO-220SIS; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):430mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes | — | — |
| 2SK4013 (TOS) | 1 733 шт. | от 321,60 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK4017[Q] (TOS) | 5 000 шт. | от 112,26 |
17 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| SSM3J117TU.LF (TOS) | 56 526 шт. | от 14,29 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J130TU.LF (TOS) | 25 082 шт. | от 21,94 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J133TU.LF (TOS) | 68 296 шт. | от 17,64 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J15FU.LF (TOS) | 83 412 шт. | от 4,34 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J15FV.L3F (TOS) | 379 727 шт. | от 13,25 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J325F.LF (TOS) | 94 214 шт. | от 8,22 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J353F.LF (TOS) | 17 832 шт. | от 9,63 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J35CTC.L3F (TOS) | 68 843 шт. | от 4,95 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J35MFV.L3F (TOS) | 672 440 шт. | от 5,01 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J36FS.LF (TOS) | 265 433 шт. | от 3,53 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
polevye-tranzistory