Полевые транзисторы
?page=9&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 368
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK100E10N1 (TOS) | 2 733 шт. | от 241,63 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| TK100E10N1.S1X (TOS) | 3 548 шт. | от 57,32 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100E10N1.S1X[S (TOS) | 75 774 шт. | от 81,50 |
3 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK100L60W.VQ (TOS) | 524 шт. | от 2 673,67 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK100S04N1L.LQ (TOS) | 16 211 шт. | от 149,20 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK10A50D (TOS) | 321 шт. | от 27,49 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.72ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK10A60D (TOS) | 240 шт. | от 50,61 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK10A60W.S4VX (TOS) | 391 шт. | от 165,54 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK10A60W5.S5VX (TOS) | 406 шт. | от 166,89 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK10A80E.S4X (TOS) | 147 шт. | от 219,80 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK10A80E.S4X[S (TOS) | 63 084 шт. | от 37,64 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK10A80W.S4X (TOS) | 306 шт. | от 221,17 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK10E60W.S1VX (TOS) | 170 шт. | от 250,02 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK10E60W.S1VX[S (TOS) | 991 шт. | от 148,96 |
25 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK10E80W.S1X (TOS) | 208 шт. | от 303,93 |
25 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK10J80E.S1E (TOS) | 100 шт. | от 317,79 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK10P60W.RVQ (TOS) | 2 738 шт. | от 224,74 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK11A65W.S5X (TOS) | 672 шт. | от 115,33 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK11P65W.RQ (TOS) | 3 650 шт. | от 154,74 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK12A50D (TOS) | 344 шт. | от 106,39 |
13 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
polevye-tranzistory