Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Транзисторы и ключи

Транзисторы имеют три вывода. Их основное назначение это усиление сигнала. Транзисторы делятся на две большие группы: биполярные и полевые. Технология биполярных транзисторов базируется на n-p-n или p-n-p-переходах. В иностранной литературе они обозначаются BJT (bipolar junction transistor). В полевых транзисторах управление выходным током производится электрическим полем создаваемым затвором. В зависимости от технологии полевые транзисторы делятся на транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) и с изолированным затвором (МДП, МОП, MOSFET). В свою очередь транзисторы с изолированным затвором делятся на транзисторы с встроенным каналом или индуцированным. Комбинацией биполярных и полевых транзисторов являются биполярный транзистор с изолированным затвором БТИЗ (IGBT) и биполярные транзисторы со статической индукцией – БСИТ.

Для построения мощных силовых систем активные компоненты объединяют в общий конструктив – силовые модули. Модули содержат MOSFET, IGBT, тиристоры и диоды в различных комбинациях.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 02.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 02.12.2022 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.