BC177A / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус TO205AD3 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 600 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1901 шт | — |
145,31
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO205AD3
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность600 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18