FZT749TA / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 160 МГц, Коэффициент усиления по току, min 15 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота160 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min15
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin