ZXTC2045E6TA / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT236 , Тип проводимости и конфигурация NPN AND PNP , Рассеиваемая мощность 1.7 Вт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 375 мВ, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Характеристики
-
КорпусSOT236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN AND PNP
-
Рассеиваемая мощность1.7 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии375 мВ
-
Ток коллектора1.5 А
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon