Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 70 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon