BSM25GD120DN2BOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Transistor Type:IGBT Module; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:25A; Voltage, Vce Sat Max:3V; Power Dissipation:200W; Case Style:Econopack 2; Termination Type:Solder; Current, Icm Pulsed:50A; Power, Pd:200W; Temperature, Current:80°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:6; Voltage, Vce Sat Typ:2.5V; Voltage, Vceo:1200V
Внутренняя схема GD , Кол-во ключей в модуле 6 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 35 А, Корпус —
Предлагаем замену
Характеристики
-
Внутренняя схемаGD
-
Кол-во ключей в модуле6
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C35 А
-
Корпус—