Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

IRF5305PBF / Infineon

Infineon
Добавить к сравнению
MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -55V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 110A Device Marking IRF5305 Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Configuration a Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 110W Power, Pd 110W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.4°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds 55V Voltage, Vds Max 55V

Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 63 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel , Ёмкость затвора 1.2 нФ

Наличие Отгрузка Цена с НДС Примечание Купить Сумма
нет в наличии
0,00 от 1 шт
+
0
Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.
Внимание! 'Отгрузка' не учитывает дни доставки, которые зависят от выбранного способа получения и адреса доставки.
Итого
0
0 шт

Характеристики

  • Корпус
    TO220AB
  • Конфигурация и полярность
    P
  • Максимальное напряжение сток-исток
    55 В
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
    31 А
  • Сопротивление открытого канала (мин)
    60 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min
    60 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max
    60 мОм
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, min
    10 В
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, max
    10 В
  • Максимальное напряжение затвора
    20 В
  • Заряд затвора
    63 нКл
  • Рассеиваемая мощность
    110 Вт
  • Примечание
    HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
  • Ёмкость затвора
    1.2 нФ

Аналоги

Ваш запрос на добавление технической информации по позиции IRF5305PBF поставлен в очередь на обработку. Как только запрос будет отработан, на вашу электронную почту придет оповещение.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 07.02.2023 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 07.02.2023 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.