IRF7313TRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 29 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 3 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 22 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьDUAL N
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C6.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max29 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min1 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max3 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора22 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA