IRFR3411PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, 32A, D-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 32A
Resistance, Rds On 0.044ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style DPAK
Termination Type SMD
Alternate Case Style D-PAK
Current, Idm Pulse 110A
Power Dissipation 130W
Power, Pd 130W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 44mohm
Thermal Resistance, Junction to Case A 1.2°C/W
Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 32 А, Сопротивление открытого канала (мин) 44 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 44 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 44 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 71 нКл, Рассеиваемая мощность 130 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 1 960 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C32 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)44 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min44 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max44 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора71 нКл
-
Рассеиваемая мощность130 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора1 960 пФ