IRGB20B60PD1PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, 600V, 40A, TO-220AB
Transistor Type IGBT
Transistor Polarity N Channel
Voltage, Vces 600V
Current Ic Continuous a Max 40A
Voltage, Vce Sat Max 2.35V
Power Dissipation 215W
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V
Current, Icm Pulsed 80A
Power, Pd 215W
Time, Rise 5ns
Корпус TO220AB , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Напряжение насыщения К-Э 2.8 В, Время включения 20 нс, Время выключения 115 нс, Время восстановления диода 28 нс, Максимальная мощность 215 Вт, Заряд затвора 68 нКл, Тип входа стандартный , Тип NPT , Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C40 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.8 В
-
Время включения20 нс
-
Время выключения115 нс
-
Время восстановления диода28 нс
-
Максимальная мощность215 Вт
-
Заряд затвора68 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипNPT
-
ПримечаниеIGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz