IRLR3410TRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:17A; On Resistance, Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 155 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 16 В, Заряд затвора 34 нКл, Рассеиваемая мощность 79 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 800 пФ
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C17 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)105 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min105 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max155 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора16 В
-
Заряд затвора34 нКл
-
Рассеиваемая мощность79 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора800 пФ