LBC848CLT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420 , Коэффициент усиления по току, max 800 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 216800 шт | — |
1,48
от 3000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min420
-
Коэффициент усиления по току, max800
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon