LDTD123YLT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 56 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 402582 шт | — |
2,90
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Коэффициент усиления по току, min56
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи2.2 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon