APT20M11JVFR / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C 175 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 11 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 11 мОм, Рассеиваемая мощность 700 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 175A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C175 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)11 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min11 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max11 мОм
-
Рассеиваемая мощность700 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 175A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET