PEMH11.115 / NEXPERIA
Не поставляется
Добавить к сравнению
SOT666/ NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = 10 kOhm
Корпус SOT563 , Тип проводимости и конфигурация NPN/NPN , Комплементарная пара PEMB11, PEMD3 , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 230 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Коэффициент усиления по току, max 30
Характеристики
-
КорпусSOT563
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN/NPN
-
Комплементарная параPEMB11, PEMD3
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота230 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Коэффициент усиления по току, max30