2N7002T / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Ток стока номинальный при 25°C 300 мА, Рассеиваемая мощность 830 мВт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Ток стока номинальный при 25°C300 мА
-
Рассеиваемая мощность830 мВт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET