HUF75639S3S / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 25 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 25 мОм, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C56 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)25 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min25 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max25 мОм
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB