SS9013HBU / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 144 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Коэффициент усиления по току, min144
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92