MUN5135T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Корпус SC703 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 202 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 140 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSC703
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность202 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии250 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
Коэффициент усиления по току, max140
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon