DTC123JS / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 0 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon