UMD3NTR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
SOT363-6/Complex Transistor(DTR+DTR)
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация NPN AND PNP , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 876978 шт | — |
22,46
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN AND PNP
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon