DALC112S1RL / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 18 В; Iутеч: 2 мкА; Cпараз: 7 нФ; Примечание: LOW CAPACITANCE DIODE ARRAY FOR ESD PROTECTION; Траб: -55...150 °C
Корпус SOIC8 , Кол-во защищаемых линий (каналов) 6 , Пороговое напряжение 18 В, Ток утечки 2 мкА, Паразитная емкость линии 7 нФ, Примечание LOW CAPACITANCE DIODE ARRAY FOR ESD PROTECTION , Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 150 °C
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во защищаемых линий (каналов)6
-
Пороговое напряжение18 В
-
Ток утечки2 мкА
-
Паразитная емкость линии7 нФ
-
ПримечаниеLOW CAPACITANCE DIODE ARRAY FOR ESD PROTECTION
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура150 °C